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【报告】影响纳米氧化铈性质的关键性因素主要是其微观结构 |
【baogao】2023-8-17发表: 影响纳米氧化铈性质的关键性因素主要是其微观结构 化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称cmp)技术是目前最好的且唯一实现全局平坦化的工艺技术,是新一代超精密表面制造方法之一,在集成电路(ic)、半导体基 影响纳米氧化铈性质的关键性因素主要是其微观结构来自报告baogao相关,仅限报告baogao观点以及网络浏览,佛山陶瓷网对影响纳米氧化铈性质的关键性因素主要是其微观结构以及内容不做任何推荐。 影响纳米氧化铈性质的关键性因素主要是其微观结构化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称cmp)技术是目前最好的且唯一实现全局平坦化的工艺技术,是新一代超精密表面制造方法之一,在集成电路(ic)、半导体基片、硬磁盘、计算机磁头、光学玻璃等超精密表面加工领域有着极其广泛的应用。 为了获得超高精度表面,对抛光材料的调配与生产的要求也不断提高,二氧化铈(ceo2)作为高效的抛光材料,在高精度抛光中得到广泛应用。与二氧化硅和三氧化二铝不同,二氧化铈一般不溶于碱,在碱性抛光条件下呈两性性质,能同时吸附阴、阳离子,能够与碱很好配合抛光。此外纳米二氧化铈也能单独形成抛光粉,对光学玻璃进行良好的抛光。相比其他抛光液和抛光粉,二氧化铈抛光的速度比较快、抛光产品光洁度比较高高,平整度较高。 影响纳米氧化铈性质的关键性因素主要是其微观结构。目前,二氧化铈及其复合氧化物被制备成纳米级,如片状、纳米线、球形、方块形、花束状等规则形貌的纳米颗粒,其性质得到极大改善,作为磨料,其颗粒大小及形状影响着抛光过程中的材料去除的作用。目前,制备纳米二氧化铈的方法有固相烧结法、液相法、气相法、喷雾热分解法等。氧化铈抛光粉中的主要有效成分是ceo2,另外含有少量其他稀土氧化物(如la2o3、pr6o11、nd2o3等)及添加元素f、s等。 不过值得注意的是,当采用氧化铈抛光粉作为磨料制备抛光液,分散悬浮稳定性是重中之重,否则粒子较易团聚,容易导致工件划伤。同时由于悬浮清洗性能不好,抛光液磨料损耗快,容易粘附在工件及机台表面,使磨料沉底结块,研磨抛光效率降低。另外抛光后工件表面残留抛光粉多,难以清洗,为后段正常生产带来困难。 深入了解cmp抛光过程理解,从抛光粉到抛光液的制备及应用效果方面进行深入研究,才能进一步推进铈基抛光材料的性能提升和推广应用。在即将于2023年9月18-19日在东莞举办的“2023年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛”,将由来自北京工业大学的梅燕教授分享报告“稀土铈基cmp抛光材料的制备与应用”,报告将全面围绕铈基抛光材料的制备及应用深入讲解,涵盖以下报告内容:1)化学机械抛光技术。2)铈基抛光粉的制备及cmp原理。3)铈基抛光液的制备及cmp原理。4)铈基抛光材料的cmp抛光效果及应用。 文章来源:粉体圈 (【baogao】更新:2023/8/17 7:32:14)
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